与改变传输参数n相比,还有一种方法是采用特殊手段使体参数m减小(小于1),以达到低于60mV/decade的目的。根据公式(2),为了使m小于1,与电容有关的第二项必须小于零,也就是需要引入负电容。这可以通过在栅介质层中串联一层具有负电容特性的铁电材料来实现,如图5所示。

改写相对于改变传输参数n另外一种途径则是通过采用特殊的手段使体参数m减小小于1从而使 SS 达到低于60mVdecade 的目的。从公式2可以看出为了使m小于 1与电容有关的第二项必须小于零也就是说需要引入负电容这可以通过给栅介质层串联一层具有负电容特性的铁电材料来实现如图5所示。降低查重率

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