以上代码使用Athena软件模拟硅中硼注入过程

以下代码定义了用于模拟的网格：

go athena line x loc = 0.0 spacing=0.1 # 定义一个从x=0.0开始、间距为0.1的水平线 line x loc = 0.1 spacing=0.1 # 定义一个从x=0.1开始、间距为0.1的水平线 line y loc = 0 spacing = 0.02 # 定义一个从y=0开始、间距为0.02的垂直线 line y loc = 2.0 spacing = 0.20 # 定义一个从y=2.0开始、间距为0.20的垂直线

以下代码初始化硅材料并指定掺杂级别：

init silicon c.phos=1.0e14

接下来的代码定义了硼注入参数：

implant boron dose=1e13 energy=70 diffuse time=30 temperature=1000

下一行提取结区深度并将其命名为“xj”：

extract name="xj" xj silicon mat.occno=1 x.val=0.0 junc.occno=1

以下代码保存结构文件以供进一步分析：

structure outfile=boron_implant.str

最后，使用tonyplot命令绘制结果结构：

tonyplot boron_implant.st