改写 2005-2007年多个小组在制造m晶面GaN基LED的过程中使得HPVE 生长高质量体晶GaN材料技术得到快速发展。 2008-2009年日本三菱公司以及波士顿大学在蓝宝石衬底上利用MOCVD 结合HVPE材料生长技术通过剥离成功获得位错密度在101 4~10 16cm -3量级的高质 量GaN体晶为后续同质生长GaN材料制作垂直GaN基器件提供了基础。 在此之后基于同质生长的GaN材料的

2005-2007年，多个小组在制造m晶面GaN基LED的过程中，推动了HPVE生长高质量体晶GaN材料技术的迅速发展。 2008-2009年，日本三菱公司和波士顿大学利用MOCVD和HVPE材料生长技术，在蓝宝石衬底上成功制备了位错密度在1014~1016cm-3量级的高质量GaN体晶，为后续制造垂直GaN基器件提供了基础。 随后，基于同质生长的GaN材料，自垂直PiN二极管得到广泛研究。