改写典型的 NBTI 效应是指在器件栅极负的应力电压但漏极不施加应力电压情况下。这和器件实际工作的状态不符在器件实际工作的工程中漏极一般会施加 HCI 应力一旦施加 HCI 应力就势必引入 HCI 退化此时器件内部的退化就不仅仅只是典型NBTI 退化影响器件的各种参数的退化的原因就要综合多方面的因素考虑这种 NBTI退化被称为带偏置 NBTIDrain Bias NBTI DB-NBTI效应。漏极

典型的NBTI效应是指在器件栅极负的应力电压下出现的退化现象，但漏极不施加应力电压。然而，在实际工作中，漏极一般会施加HCI应力，这就会引入HCI退化，从而导致器件内部的退化不仅仅是典型的NBTI退化，而是综合多种因素的结果，被称为带偏置NBTI（DB-NBTI）效应。当漏极施加应力电压后，与源极之间会形成电势差，导致栅氧层电场非均匀分布，进而影响界面电荷分布，从而引起带偏置NBTI退化。与典型NBTI退化不同，纯偏置NBTI（Pure-DBNBTI）效应仅考虑漏极施加应力电压的影响，而不考虑HCI退化的影响。在短沟道pMOS器件中，由于难以将HCI退化和NBTI退化完全分离，因此只能通过数值模拟软件进行研究。然而，目前市面上大多数商业软件并没有提供针对NBTI效应的数值模拟方法，这给NBTI效应的研究带来了困难。