改写由于在生成界面陷阱时产生的氢物质在扩散时是离散扩散过程因此研究者提出了各种基于 R-D 理论的修正模型比如Zafar 在无定形的 SiO2 中该考虑到粒子移动时的离散机制采用统计学理论将界面Si-H 键密度的减少引入到退化公式中的变量

由于生成界面陷阱时所产生的氢物质在扩散过程中表现出离散扩散的特性，因此研究者们提出了多种基于 R-D 理论的修正模型。例如，Zafar 在研究无定形的 SiO2 时，考虑到粒子移动时的离散机制，并采用统计学理论将界面Si-H 键密度的减少引入到退化公式中的变量。

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