改写 2013年Avoge公司通过离子注入的方法获得了具有高阻终端导通电阻2 mΩ·cm2 击穿电压26 kV的PiN器件并且证实器件发生了雪崩击穿。2015年该公司在 GaN同质生长材料上获得了常规结构的自垂直PiN器件器件导通电阻为28 mΩ·cm2 击穿电压为41 kV
Avoge公司在2013年使用离子注入的技术成功制备了PiN器件，该器件具有高阻终端导通电阻为2 mΩ·cm2，击穿电压为2.6 kV，并已证实发生了雪崩击穿现象。随后在2015年，该公司在GaN同质生长材料上制备了常规结构的自垂直PiN器件，该器件的导通电阻为2.8 mΩ·cm2，击穿电压为4.1 kV。
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