改写在300k 时其值为 60mVdecade由于这一极限的存在无论怎样改进传统MOS晶体管如采用FinFETFDSOI结构都不能使SS在室温时低于 60mVdecade这被称为玻尔兹曼霸权Boltzmann tyranny它成为传统晶体管尺寸缩小所面临的重要挑战。实现显著降重
在达到300K时，晶体管的斜率为60mV/decade。由于这个极限存在，即使采用FinFET或FDSOI结构等改进，也无法使SS在室温下低于60mV/decade。这被称为“玻尔兹曼霸权”，是传统晶体管尺寸缩小面临的重要挑战。为了显著降低这个斜率，需要进一步探索新的技术和材料，例如量子点晶体管或其他新型器件结构。
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