• 日期: 2024-09-01
  • 标签: 汽车

NCFET利用负电容效应实现负电容升压，从而降低CMOS器件的供电电压VDD，实现高性能CMOS器件的亚阈值摆幅。

改写NCFET可以通过负电容效应Negatice Capacitance Effect产生的负电容升压效应来减少CMOS器件的供电电压VDD以获得具有陡峭亚阈值摆幅的高性能CMOS器件。实现显著降重

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