改写如上述理论所示通过在传统 MOS 器件的栅介质层串联一层铁电材料利用铁电材料的负电容效应调节 MOS 结构的电容使得器件的体参数m小于1。这种含有铁电介质层的 MOS 结构晶体管被称为负电容场效应晶体管Negative capacitance field effect transistor NCFET。

根据上述理论，我们可以在传统的 MOS 器件的栅介质层上添加一层铁电材料，利用铁电材料的负电容效应来调节 MOS 结构的电容，从而实现器件的体参数(m)小于1。这种含有铁电介质层的 MOS 结构晶体管被称为负电容场效应晶体管(Negative capacitance field effect transistor，NCFET)。