改写为了突破玻尔兹曼极限取得低于 60mVdecade 的亚阈值摆幅近年来主要涌现出了两种途径。一种途径是通过改变沟道中载流子的传输机理使得 n 值变小从而改善器件的亚阈值特性。如在隧穿晶体管TFET中利用源和沟道之间的量子隧穿效应取代依赖于克服势垒高度的输运机理可以实现 SS 低于 60mVdecade 的目标 且相关实验已经证明了这种方法的可行性。

为了突破玻尔兹曼极限并实现低于 60mV/decade 的亚阈值摆幅，近年来出现了两种主要途径。其中一种是通过改变沟道中载流子的传输机理，从而使 n 值变小，从而改善器件的亚阈值特性。例如，在隧穿晶体管（TFET）中，可利用源和沟道之间的量子隧穿效应取代依赖于“克服势垒高度”的输运机理，从而实现 SS 低于 60mV/decade 的目标。相关实验已经证明了这种方法的可行性。