High Efficiency GaN-Based Light‐Emitting Diodes on Si Substrates Using a Novel Recombination Region Scheme by W Hou et al论文概要

这篇论文介绍了一种新颖的复合区域方案，用于在硅衬底上制造高效率的氮化镓基LED。该方案采用了多个层次的p-GaN层和InGaN/GaN量子井，以实现更好的载流子注入和复合。通过优化p-GaN层的厚度和注入区域的设计，研究人员成功地制造出了具有高效亮度和较低电流密度的LED。这项研究有望为在硅衬底上制造高效LED提供新的思路和方法。