High Efficiency GaN-Based Light‐Emitting Diodes on Si Substrates Using a Novel Recombination Region Scheme 整篇论文概要

本文提出了一种新的复合区域方案，可以在硅基底上制造高效的氮化镓发光二极管（LED）。通过在p-GaN层和Si基底之间引入一个厚度为60nm的In0.1Ga0.9N复合区域，使得载流子注入和复合更加均匀。在这种结构下，LED的发光强度提高了5倍，并且在较低电流下获得了更高的外量子效率。此外，通过在n-GaN层上添加一个厚度为20nm的AlN层，有效增加了LED的光提取效率。这种新的结构方案为高效氮化镓LED的制造提供了一种简单而有效的方法。