改写：本文以影响MOSFET器件可靠性的热载流子效应与NBTI效应为出发点利用Cadance RelXpert检测模拟仿真电路中MOSFET器件的阈值电压的漂移探讨了MOSFET陷阱电荷累积的机理与在时间应力与电压应力变化的条件下的变化关系并简单解释了陷阱电荷的释放机理。降查重率
本文探讨了MOSFET器件的可靠性问题，主要关注热载流子效应和NBTI效应对其的影响。通过使用Cadance RelXpert进行模拟仿真，我们检测了MOSFET器件的阈值电压漂移，并研究了MOSFET陷阱电荷累积的机理以及在时间应力和电压应力变化的条件下的变化关系。此外，我们还简要介绍了陷阱电荷释放的机理。
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