该代码实现了使用Sentaurus模拟器对半导体器件进行多种不同类型的模拟,包括:

  1. 解决耦合的泊松方程,其中包括电子和空穴的输运方程以及温度方程;
  2. 查看不同应力条件下陷阱产生的情况;
  3. 提取不同应力条件下的Ron/Idsat和IdVg;
  4. 测量器件寿命。

具体实现方式为:

  • 对于查看不同应力条件下陷阱产生的情况,使用了Quasistationary函数,其中包括了不同的电压条件和目标,以及耦合的泊松方程、电子和空穴的输运方程和温度方程。
  • 对于提取不同应力条件下的Ron/Idsat和IdVg,首先使用了Quasistationary函数来设定不同的电压条件和目标,然后使用了Transient函数进行瞬态模拟,最后使用了Tcl代码块来提取所需的数据。
  • 对于测量器件寿命,使用了Quasistationary函数来设定不同的电压条件和目标,然后使用了Transient函数进行瞬态模拟,并将结果保存到文件中。最后,通过比较陷阱浓度和临界值,确定器件寿命的时间点。

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