通过第一性原理计算,发现Bi2Se3等体系虽然属于拓扑绝缘体,但其具备巨大的Van-Vleck顺磁磁化率,与普通半导体存在显著差异。进一步理论计算表明,随着自旋轨道耦合强度的增加,Van-Vleck顺磁磁化率将增强。当自旋——轨道耦合作用导致体系发生能带翻转时,磁化率将迅速增大。在掺入磁性原子的Bi2Se3体系中,Van-Vleck顺磁磁化率可作为媒介,导致磁性原子的磁矩自发磁化,进而使体系具备长程铁磁性。


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