静态RAM芯片Intel2114存储容量分析

下图是静态RAM芯片Interl2114的外特征示意图。图中，A9~A0为地址输入端；I/O1~I/O4为数据输入/输出端；CS为片选信号（低电平有效）；WE为写允许信（低电平为写，高电平为读）；Vcc为电源端；GND为接地端。

根据图中的外特征示意图，我们可以看到数据输入/输出端I/O1~I/O4有4个位，地址输入端A9~A0有10个位，因此该芯片的存储容量为2的10次方乘以4，即2K×4位。

所以答案是D. 2K × 4位。