在 MOSFET 开关特性测试电路中将示波器探头连接 MOS 管的D端地端连接 MOS 管的S端观察 MOS 管关断时 DS 两端承受的电压。首先测试记录无吸收电路时 MOS 管 DS 之间的电压波形然后将吸收电路并联在 MOS 管后再次测试记录 DS 之间的电压波形分别绘出有吸收电路和无吸收电路时 MOS 管 DS 之间的电压波形并在图上标出 MOS 管关断时 DS 间电压上升的时间从 10到

测量 MOSFET 开关特性电路中 MOS 管关断时 DS 两端承受的电压的步骤： （1）将示波器探头连接 MOS 管的“D”端，地端连接 MOS 管的“S”端； （2）记录无吸收电路时 MOS 管 DS 之间的电压波形； （3）将吸收电路并联在 MOS 管后，再次测试记录 DS 之间的电压波形； （4）分别绘出有吸收电路和无吸收电路时 MOS 管 DS 之间的电压波形，并在图上标出 MOS 管关断时 DS 间电压上升的时间（从 10%到 90%）。

示波器测量波形上升沿的操作步骤： （1）将示波器探头连接待测信号的输出端，地端连接信号源的地端； （2）调整示波器的触发电平和触发方式，选择上升沿触发； （3）观察示波器的波形，调整时间基准和灵敏度，使波形合适且清晰。

示波器测量波形下降沿的操作步骤： （1）将示波器探头连接待测信号的输出端，地端连接信号源的地端； （2）调整示波器的触发电平和触发方式，选择下降沿触发； （3）观察示波器的波形，调整时间基准和灵敏度，使波形合适且清晰。

根据实验测量结果，可以估算 MOS 管的工作频率约为数十 kHz 至数百 kHz。MOS 管是电压型控制器件。为保证 MOS 管可靠导通，栅源之间的控制电压范围约为 10V 至 15V（具体取决于 MOSFET 的型号）