石墨状氮化碳(g-C3N4)具有N取代石墨结构,由C和N原子的sp2杂化形成,是著名的无金属光催化剂之一[193,194]。g-C3N4有两种不同的构型。一种配置是定义为s-三嗪,由s-三嗪单元构成,单个C空位的周期性阵列,如图16d所示。另一种是在图16e中显示的三聚s-三嗪亚单位连接通过平面三级胺基与晶格中的较大周期性空位。实验上报告了热氧化剥离法和超声辅助液相剥离法以获得g-C3N4超薄纳米片[195-198]。具体而言,刘等人提出了热氧化剥离路线,其中g-C3N4晶体的厚度通过层层刻蚀逐渐减小,如图16a所示[198]。然后,在120分钟的热氧化后,制备了约2 nm的g-C3N4纳米片。而量子尺寸效应导致随着温度升高,g-C3N4纳米片出现明显的蓝移。此外,由于n!p *跃迁,在较高温度> 650℃时出现了额外的日光吸收峰,导致高可见光收获。此外,由于体积C3N4的内在分层结构,提出了超声辅助液相剥离法。然而,该剥离方法的效率在很大程度上取决于溶剂分子的表面能,其计算值为115 mJ m-2。显然,它与水的表面能量值102 mJ m-2一致,通过水液体剥离成功获得了g-C3N4的厚度为2.5 nm的纳米片[199]。此外,还探索了异丙醇[200]和其他溶剂[201,202]以进一步促进体积C3N4的剥离效率,因为厚度是影响光催化水裂解性能的关键因素。g-C3N4单层具有许多非凡的特性,例如广泛的表面积,良好的稳定性和适当的2.7 eV带隙,可用于各种光催化应用,包括氢气的产生,CO2的还原,污染气体分子的去除和消毒。与体积g-C3N4相比,在g-C3N4单层中,沿着平面方向电子迁移率大大增强,相应的氢气产生活性提高了5.4倍[203,204]。同时,通过形态控制[205-207],晶体控制[208,209],空位引入[210,211],化学取代[212,213]和表面活化[214,215]等几种策略,改善了g-C3N4的光催化性能。例如,合成了具有一些碳空位的孔隙g-C3N4,显示出用于创新光催化系统的扩宽日光的有希望的可能性,并减少了载流子的复合[211]。另一方面,g-C3N4纳米片与其他物种的杂化被开发为光催化剂,以提高系统的光催化剂功能,以全水分裂为例,由于g-C3N4纳米片中的自聚集通过p-p相互作用会严重阻碍H2O2中间体的传输和循环性能[216]。以碳纳米球包含的g-C3N4为例,它显示出比未杂化的g-C3N4高4.79倍的光催化活性[217]。此外,不仅g-C3N4与其他物种的电子-空穴复合被抑制,而且氧化反应动力学也被加速,从而显着提高了H2生成的光催化活性[218]。此外,最近的研究人员发现,将二维g-C3N4载入一维AgVO3纳米线可以提高光催化活性,因为这种杂交体系在异质结界面处促进了更多的暴露光催化位点,扩展了日光吸收区域并促进了电荷分离速率[219]。到目前为止,已经构建了许多基于g-C3N4的混合光催化剂,其中包括不同的无机材料,例如基于铋的化合物[220,221],金属硫化物[222,223],金属氧化物/氢氧化物[224,225],碳材料[217,226],尖晶石化合物[218,227],金属纳米粒子[228,229]。另一方面,制备C2N / InTe[230]和g-C6N6 / g-C3N4 [231]的异质结构,通过形成跨界面的内置电场,改善C2N和g-C6N6的光催化性能。结果表明,界面能有效地提高电子空穴对的分离


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