将以下文字降重；从图中可以明显看到漏极电流Ip在黑暗条件下和光照下的区别光照下的电流远大于黑暗时的电流原因是器件在光照下产生大量的激子受异质结界面强电场的影响激子在铯铋碘和有机物的界面。界面处快速分离成自由空穴和自由电子极大地增加了器件的光生电流。

在图中，漏极电流Ip在黑暗条件下和光照下有明显区别。光照下的电流远大于黑暗时的电流。这是因为器件在光照下产生大量的激子。受异质结界面强电场的影响，激子在铯铋碘和有机物的界面处快速分离成自由空穴和自由电子，极大地增加了器件的光生电流。

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