1959年美国贝尔实验室的物理学家J T Wallmark首次提出了双极性场效应管的概念来自那篇文献
《A New Field-Effect Transistor with Bipolar Action》。该文献描述了一种新型场效应管，由两个PN结组成，其中一个PN结是正向偏置的，另一个是反向偏置的，这种结构可以实现电子和空穴的注入和收集，从而实现双极性的场效应管。该发明为后来的MOSFET等器件的发展奠定了基础。
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