半导体光照能带图：n型半导体小注入分析

对于题目提供的信息，假设该半导体为n型，并且光注入为小注入情况下，我们可以根据n型半导体的能带结构来画出受到光照时的能带图。在能带图中，费米能级和准费米能级的标注如下：

在n型半导体中，费米能级 (EF) 处于近似于中间的位置，接近导带（Conduction Band）。

准费米能级 (Efn) 处于导带，表示光照下非平衡电子的能级，与费米能级 (EF) 接近。

以下是一个简化的n型半导体的能带图示例：

               ______________________________
Conduction Band |                            |
               |                            |
               |                            |
               |                            |
               |                            |
 Efn           |                            |
               |                            |
               |                            |
               |                            |
               |                            |
Valence Band   |                            |
               |                            |
               |                            |
               |                            |
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在这个能带图中，Conduction Band 表示导带，Valence Band 表示价带。费米能级 (EF) 处于导带和价带之间，接近导带。准费米能级 (Efn) 位于导带上，表示光照时非平衡电子的能级。

请注意，这只是一个简化的示例能带图，实际的能带结构可能会因材料和具体条件而有所不同。根据具体的半导体材料和实验条件，能带图可能需要进一步详细的分析和计算才能绘制。