B-g-C3N4的功函数为5217eV加入B原子B-g-C3N4的功函数相对于g-C3N45241eV有所减少。B-g-C3N4的功函数小于CdS的功函数5974eV所以当 B掺杂的g-C3N4与 CdS表面接触时在界面之间会产生一种内建电场使电子从功函数较小的材料到功函数较大的材料进行传递这就是一个这样的趋势电子从B掺杂的g-C3N4向CdS进行迁移直至B掺杂的g-C3N4与CdS的费米能级平衡

这种内建电场的产生可以促进光生电子-空穴对的分离和传输，从而提高光催化性能。此外，B掺杂的g-C3N4的价带顶部和导带底部能级也会发生调整，使其更加适合光催化反应。因此，B掺杂的g-C3N4与CdS复合材料表现出了优异的光催化性能，可用于环境治理、能源转换等领域。

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