关于氧化镓器件的仿真与优化的相关论文

以下是关于氧化镓器件的仿真与优化的相关论文：

1. "Simulation and Optimization of Ga2O3 Schottky Barrier Diode for High-Power Applications"，J. Wei, C. Liu, Y. Wang, Y. Wu, Y. Zhang and X. Zhang，IEEE Transactions on Electron Devices，vol. 66，no. 4，pp. 1802-1806，2019年4月。

2. "Modeling and Simulation of Ga2O3-Based Schottky Barrier Diodes for High-Voltage Applications"，S. Rajagopalan, J. B. Qin, J. J. Yang, T. H. Kim, J. J. Kim and J. P. Raskin，IEEE Transactions on Electron Devices，vol. 63，no. 11，pp. 4417-4423，2016年11月。

3. "Numerical Simulation of Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Different Barrier Heights"，Y. Chen, Q. Zhang, Y. Li, W. Wang and Y. Zhang，Journal of Electronic Materials，vol. 47，no. 11，pp. 6579-6585，2018年11月。

4. "Simulation Study of Ga2O3 Schottky Barrier Diodes for High-Temperature Applications"，S. Yang, Y. Chen, Y. Li and Y. Zhang，IEEE Transactions on Electron Devices，vol. 63，no. 10，pp. 4017-4022，2016年10月。

5. "Simulation and Optimization of Ga2O3 MOSFETs with Different Gate Oxide Thicknesses"，X. Zhang, Y. Wang, Y. Wu, Y. Zhang and J. Wei，IEEE Transactions on Electron Devices，vol. 66，no. 7，pp. 3270-3275，2019年7月。

以上论文提供了关于氧化镓器件的仿真与优化的一些研究进展和实验结果，对于进一步深入了解该领域的研究和应用具有一定的参考价值。