GaN材料中CN缺陷的双空穴捕获过程及其对光致发光的抑制

值得注意的是，在NANOWIN生长的GaN样品中，除了YL之外，在低温（3-200 K）下没有观察到与缺陷相关的PL。这表明放射性受体，如ZnGa和MgGa，可以被消除。另一方面，镓空位（VGa）和VGa相关缺陷是n型GaN中最常见的固有缺陷，可能成为有效的非辐射复合中心，但这些缺陷的浓度通常在GaN中范围从1016到1018 cm!3。最近，已经证明了CN缺陷通过! / 0和0 / þ热力学能级的转变，而处于中性电荷状态的CN缺陷（CN 0）可以捕获第二个空穴形成CN þ。因此，一个具有两个电荷状态的CN缺陷能够连续捕获两个空穴。为了验证这个双空穴捕获过程，我们还分析了样品02Ge在1050 nm的不同泵浦光强下的TA动力学（见图S2）。通过单次捕获模型拟合得到的受体浓度（Ni = 1.6*1016 cm!3）也大约是02Ge中[C]的两倍，表明通过CN的两个电荷状态进行空穴捕获是主要的过程。图2中的实线表示通过双重捕获模型得到的拟合结果，与实验结果相当吻合。