当栅-源之间不加电压时即VGS=0时源漏之间是两只背向的PN结不管VDS极性如何总有一个PN结反偏此时漏源之间电阻极大基本上没有电流输出。

当VGS>0时，N沟道中的电子被引入漏道形成导电通道，此时漏源之间形成低阻抗通路，可以输出电流。随着VDS的增加，漏源之间形成的电压降也增加，但是当达到一定值时，漏道中的电子速度达到饱和，此时输出电流不再随VDS的增加而增加，达到饱和电流。当VGS继续增加时，漏道中的电子速度也随之增加，饱和电流也随之增加，但是此时漏源之间形成的电阻也随之减小，使得输出电流增加的速率变慢。在VGS增加到一定值时，漏源之间的电阻已经非常小，此时的输出电流已经非常大，继续增加VGS会导致MOS管的过载。因此，MOS管的输出特性是一个随着VDS增加而增加，但是在饱和区达到一个定值的曲线。