20 世纪80年代前苏联的约飞物理研究院基于可控等离子 层换流原理发明了几种全新的脉冲功率器件其中典型 代表是反向开关晶体管Reversely Switched Dynistor RSD和漂移阶跃恢复二极管Drift Step Recovery Diode DSRD。RSD和DSRD同为两端器件触 发电路简单且易组成堆体。RSD是一种闭合型开关能 够应用于电容储能电路其开关时间在微秒级别。相反 D

20世纪80年代，前苏联的约飞物理研究院发明了几种新的脉冲功率器件，包括反向开关晶体管和漂移阶跃恢复二极管。它们都是两端器件，触发电路简单易组成堆体。其中，反向开关晶体管是一种闭合型开关，适用于电容储能电路，开关时间在微秒级别；漂移阶跃恢复二极管则适用于电感储能电路，因为它关断速度在纳秒范围，能够实现很快的关断速度。DSRD的脉冲发生器能够实现纳秒级的脉冲输出，重复频率能达到MHz级别。1985年，俄罗斯科学家I. V. Grekhov等人第一次提出DSRD的概念，1995年，A. F. Kardo-Sysoev等人发现单个Si DSRD的关断速度达到2ns，工作电压最高达到2kV。