CMOS晶体管导电沟道在不同栅极电压下的长度变化是怎样的
CMOS晶体管导电沟道在不同栅极电压下的长度变化是非常微小的。在低电压情况下，导电沟道的长度几乎没有变化，而在高电压情况下，导电沟道的长度会略微增加。这是因为高电压会使得栅极电场加强，从而吸引更多的电子进入导电沟道，导致导电沟道略微扩张。但是这种长度变化非常小，一般可以忽略不计。
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CMOS晶体管导电沟道在不同栅极电压下的长度变化是非常微小的。在低电压情况下，导电沟道的长度几乎没有变化，而在高电压情况下，导电沟道的长度会略微增加。这是因为高电压会使得栅极电场加强，从而吸引更多的电子进入导电沟道，导致导电沟道略微扩张。但是这种长度变化非常小，一般可以忽略不计。
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