改写：g-C3N4基光催化剂由于具有合适的能带结构而在光催化制氢、光催化CO2还 原和光催化固氮等多个领域得到了应用。将g-C3N4与其他半导体材料复合或在 g-C3N4上负载金属团簇被认为是优化g-C3N4光催化活性的有效策略。本文通过理 论计算来研究与SnO2复合和负载Ni团簇两种改性方式对于g-C3N4光催化活性的 影响。
g-C3N4基光催化剂因其合适的能带结构在多个领域如光催化制氢、光催化CO2还原和光催化固氮等得到了广泛应用。为了优化其光催化活性，将g-C3N4与其他半导体材料复合或在其表面负载金属团簇被视为有效的策略。本文旨在探讨与SnO2复合和负载Ni团簇这两种改性方式对g-C3N4光催化活性的影响，并采用理论计算方法进行研究。
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