贾万益等人于2004年对DSRD作了一定的理论分析并将其用于UWB等其他方面。肖建平在2007年对一种基于DSRD的脉冲产生电路进行了仿真研究为碳化硅DSRD带来了光明的未来。输出脉冲振幅达到800V半脉冲宽度低于10ns重复频率超过10kHz。2010年梁勤进教授介绍了一种新型的固体脉冲电源它可以实现高于MARX的大功率、高频率的脉冲电源。2013年周斌等人以DSRD为基础设计了一种新的高电压脉

2004年，贾万益等人对DSRD进行了理论分析，将其应用于UWB等其他领域。2007年，肖建平对基于DSRD的脉冲产生电路进行了仿真研究，并获得了输出脉冲振幅达到800V，半脉冲宽度低于10ns，重复频率超过10kHz的结果。2010年，梁勤进教授介绍了一种新型的固体脉冲电源，可以实现高功率、高频率的脉冲电源。2013年，周斌等人以DSRD为基础，设计了一种新的高电压脉动源电路，并以1N5408高电压脉动二极管来取代DSRD进行测试，得到了一个均衡输出脉冲，峰值为760V，脉宽为8ns。2018年，王亚杰等人通过Pspice模拟，对DSRD产生的脉冲信号进行了模拟，并获得了最优的输出信号。同年，陈万军等提出将DSRD的均匀掺杂基区改造成超结结构，提高了DSRD的耐压能力。此外，他们还将SiC DSRD均匀掺杂的n型基区改造为阶梯式n型掺杂基区，提高了少子在漂移区的抽取速率，使其更快地被加速到饱和速度，降低了脉冲前沿所需时间。目前，在中国科学院、中国工程物理所、应用电子所、西安电子工程学院等机构都在DSRD脉冲电源方面有所发展。