(Sc0.5Ta0.5)4+络离子掺杂0.7BNT-0.3ST:增强压电性能的相变与PNRs调控

将具有高带隙Eg、不同价态和离子半径的(Sc0.5Ta0.5)4+络离子掺入0.7BNT-0.3ST的B位，可以有效地提高材料的带隙，并引起晶格畸变。这种掺杂策略促使材料从弱极性四方相转变为强极性菱面体相，从而实现更高的最大极化强度(Pmax)和更大的击穿场强(Eb)。

研究表明，(Sc0.5Ta0.5)4+络离子的引入不仅可以改变材料的晶体结构，还可以诱导更小尺寸的极性纳米区域(PNRs)的形成。这些更小尺寸的PNRs进一步破坏了铁电有序，使得材料在外部电场作用下能够更快地响应，从而提高了材料的压电性能。

本文亮点:

采用高带隙Eg、不同价态和离子半径的(Sc0.5Ta0.5)4+络离子对0.7BNT-0.3ST进行B位掺杂。* 实现了从弱极性四方相到强极性菱面体相的转变，并提高了Pmax和Eb。* 诱导了更小尺寸的PNRs，进一步破坏了铁电有序，实现了更快的响应速度。

关键词: (Sc0.5Ta0.5)4+络离子, 0.7BNT-0.3ST, 压电性能, 相变, 极性纳米区域, PNRs, 带隙, 晶格畸变, 最大极化强度, 击穿场强