门电压 - 场效应晶体管的关键控制因素

门电压 (gate voltage) 指的是施加在场效应晶体管 (Field-Effect Transistor，简称 FET) 的栅极上的电压。

场效应晶体管是一种重要的电子器件，它由源极、漏极和栅极组成。栅极是控制 FET 导电性的关键部分。当施加在栅极上的电压发生变化时，它会改变栅极和源极之间的电场，从而调节 FET 中的电流流动。

对于 N 型场效应晶体管 (N-channel FET)，当正电压施加在栅极上时，栅极和源极之间形成一个电场，使得导电通道打开，电流可以通过晶体管流动。相反，当负电压施加在栅极上时，电场减弱或消失，导电通道关闭，电流不能通过晶体管。

对于 P 型场效应晶体管 (P-channel FET)，情况正好相反。当负电压施加在栅极上时，导电通道打开，允许电流流动。当正电压施加在栅极上时，导电通道关闭，电流不能通过晶体管。

通过调节栅电压，可以有效地控制场效应晶体管的导电性和电流流动。这使得场效应晶体管成为许多电子设备和电路中重要的开关和放大器元件。