双谐振器耦合实现双峰EIT效应：机制与特性研究

本研究分别对RR和SR的特性进行了独立调查。我们的研究结果表明，RR中存在两个BIC和一个宽的低谷，而SR中存在一个BIC。我们还观察到RSR中存在一个EIT和两个BIC，这是由于来自同一谐振器的两个模式之间的耦合效应。这些结果表明存在多个BIC，这些BIC是由两个谐振器之间的耦合效应产生的。这种EIT机制与先前的研究不同，先前的研究中，明亮模式和暗模式来自不同的谐振器。在我们的研究中，两个模式共同贡献于同一谐振器内的EIT形成，而SR通过光场耦合促进了两个模式之间的耦合。为了验证这个假设，我们用一个简化的谐振器结构替换了原始的SR结构，并得到了与原始SR相一致的结果。在耦合过程中，RR中的明亮模式和暗模式频率都经历了显著的红移，其中暗模式的移动速度比明亮模式更快。正是明亮模式和暗模式的叠加导致了EIT的形成。

我们还观察到，通过移动SR以增加RR和SR之间的距离d，RR生成的另一个暗模式BIC2可以快速移动到原始的宽低谷，从而形成双峰EIT。所有贡献于双峰EIT的明亮模式和暗模式都来自于同一个谐振器RR。在研究中发现，改变入射角参数和参数d无法实现双峰EIT效应。这是因为在改变角度的过程中，BIC2向低谷相反方向移动会增加低谷和BIC2之间的距离，阻止了形成双峰EIT的耦合。随着参数d的变化，BIC2也会不断向宽低谷的方向移动，但移动速度太慢以致无法与低谷耦合。此外，参数d也会影响BIC1，并使其持续向左移动，导致原始EIT效应的减弱。