NMOS 电路中的 VDD、VGS 和 VDS：定义、关系和工作区域

在 NMOS 电路中，VDD 是供电电压，VGS 是控制门电压，VDS 是源漏电压。

VGS (Gate-to-Source Voltage) 是控制 NMOS 晶体管导通和截断的关键参数。当 VGS 大于晶体管的阈值电压 (Vth) 时，晶体管开始导通，允许电流从源极流向漏极。VGS 与晶体管的导通状态直接相关。

VDS (Drain-to-Source Voltage) 是源和漏极之间的电压差。它表示晶体管的工作区域和工作状态。根据 VDS 的不同范围，可以将晶体管的工作分为三个区域：截止区 (VDS < VGS - Vth)、三极区 (VDS > VGS - Vth) 和饱和区 (VDS < VGS - Vth && VDS > VDSsat)。

在正常工作区域，VDS 应该小于 VDD，以确保晶体管处于安全操作范围内。因此，VDS 通常是 VDD 的一部分，以确保晶体管不会被超过其额定电压。

总之，VGS 和 VDS 是控制和定义 NMOS 晶体管工作状态的重要参数，而 VDD 则是为电路提供正电压的供电电源。这些电压之间的关系和范围应根据具体的电路设计和应用需求来确定。