Nonlinear optical NLO materials play a major role in nonlinear optics and in particular they have a great impact on information technology and industrial applications In the last decade however this

非线性光学（NLO）材料在非线性光学中起着重要作用，特别是对信息技术和工业应用产生了巨大影响。然而，在过去的十年中，这一努力也在非线性光学的应用方面取得了成果。这主要归因于NLO材料性能的改善。目标是开发出具有大非线性和同时满足所有应用的技术要求的材料，如宽透明范围、快速响应和高损伤阈值。

直接带隙半导体氮化镓（GaN）具有纤锌矿晶体结构，其带隙为3.39电子伏特。GaN的宽带隙使得该晶体在光电子学、高功率和高频率器件的应用中具有特殊性能。另一方面，GaN的许多基本物理参数仍然鲜有研究。GaN中的非线性光学过程，如二光子和三光子吸收，可能导致氮化物基光电子学中的光功率限制和光损伤。这些过程也可以用于许多应用：光限制器、光开关和用于超快激光脉冲表征的非线性自相关系统。由于这些潜在应用，对GaN的性质进行了广泛的研究。

此外，碘化镉（CdI2）具有3.2电子伏特的宽间接带隙半导体材料。由于其应用于光电池、X射线和γ射线探测器等半导体材料探测器的应用，其光学性质在过去几年中引起了广泛关注。超快速器件是下一代的关键组成部分。在这种情况下，宽直接和间接带隙半导体是计算非线性吸收参数的合适候选材料。已经采用Z扫描方法测量了一些直接带隙晶体的非线性光学参数[1-7]。此外，在间接带隙晶体中缺乏非线性参数的测量，因为晶格振动和载流子浓度使得计算更加困难。

在本文中，我们使用纳秒和皮秒基频和倍频Nd:YAG激光通过开孔Z扫描技术对GaN（直接带隙）和CdI2（间接带隙）晶体中的非线性强度相关光吸收系数进行了系统研究。我们观察到随着激光脉冲持续时间从60皮秒增加到10纳秒，直接和间接带隙晶体的非线性吸收系数值增加，同时我们观察到在输入辐照度增加时，CdI2间接带隙晶体中从饱和吸收（SA）到二光子和三光子吸收的切换。