Multiphoton Excited SingletTriplet Mixed Self-Trapped Exciton emission文献实验部分

实验部分：

样品制备：

样品是采用化学气相沉积（CVD）生长方法在Si（100）基底上制备的。在实验中，样品被分成两部分：未受处理的样品和经过热处理的样品。热处理是在氮气环境下进行的，温度为700℃，持续时间为30分钟。

激光系统：

我们使用的激光系统是一种经过调谐的钛宝石激光器，其波长为800 nm，脉冲宽度为150 fs，重复频率为1 kHz。

光谱测量：

激光器通过一个光学系统聚焦在样品上。激发光强度为2×10^13 W/cm^2。样品发射的光被收集并通过一个光栅进行分光，然后被一个光电二极管探测器检测。

时间分辨光谱测量：

我们使用的时间分辨光谱仪是一种经过改装的液氮冷却的CCD相机。激光器通过一个光学系统聚焦在样品上。激发光强度为2×10^13 W/cm^2。样品发射的光被收集并通过一个光栅进行分光，然后被相机检测。相机的时间分辨率为150 fs。

结果：

我们观察到了多光子激发的自陷激子发射。在未经处理的样品中，我们观察到了单重态和三重态的发射峰。在经过热处理的样品中，我们只观察到了单重态的发射峰。时间分辨光谱测量表明，发射峰的半高宽为约200 fs，这表明了自陷激子的短寿命。

结论：

我们成功地观察到了多光子激发的自陷激子发射，并发现了单重态和三重态的发射。经过热处理的样品中只有单重态的发射，这表明热处理可以降低三重态的产生。时间分辨光谱测量表明，自陷激子的寿命很短。这些结果对于进一步理解多光子激发的自陷激子的行为和应用有重要的意义