翻译Hot-carrier generation is a strong function of thebiasing voltages and the devices channel length InFig 1 the variation of Isub versus gate voltage Vgs withdrain voltage Vds as a parameter is shown

热载流子的产生强烈依赖于偏置电压和器件的沟道长度。在图1中，显示了Isub随栅极电压Vgs的变化，以漏极电压Vds作为参数。可以看到，最大的Isub出现在Vgs=Vds/2，与[11]中类似。同时，可以看到Isub几乎是漏极电压的指数函数；当Vds增加0.1V时，Isub几乎增加了两倍。

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