翻译With the continual scale-down of the channel lengthof MOSFETs and on-chip passive devices such as inductors with good performance parameters CMOS technology has become a viable choice for the impl

随着MOSFET管道长度的不断缩小，以及具有良好性能参数的片上被动元件（如电感器），CMOS技术已成为实现射频电路模块（如低噪声放大器、振荡器和混频器）的可行选择[1-8]。然而，通过缩短MOSFET管道长度，与短通道效应相关的问题（如漏极诱导势垒降低[DIBL] [9]、击穿和热载流子）变得重要[10]。在NMOSFET中，将偏置电压应用于器件的端口是自然的。