翻译With the continual scale-down of the channel lengthof MOSFETs and on-chip passive devices such as inductors with good performance parameters CMOS technology has become a viable choice for the implem

随着MOSFET的通道长度不断缩小以及具有良好性能参数的片上被动器件（如电感器）的缩小，CMOS技术已成为实现射频（RF）电路模块（如低噪声放大器（LNA）、振荡器和混频器）的可行选择[1-8]。然而，通过缩短MOSFET的通道长度，与短通道效应相关的问题（如漏极诱导势垒降低（DIBL）[9]、穿透和热载流子）变得重要。在NMOSFET中，将偏置电压应用于器件的端口自然地。