翻译The effects of hot-carrier stress HCS on the performance of NMOSFETs and a fully integrated low noise amplifierLNA made of NMOSFETs in a 018 lm CMOS technology are studied The main effects of HCS on

本文研究了热载流子应力（HCS）对0.18微米CMOS技术制造的NMOSFET和完全集成的低噪声放大器（LNA）性能的影响。单个NMOSFET的HCS主要影响是阈值电压增加和通道载流子迁移率降低，导致晶体管偏置电流下降。在晶体管的小信号模型中，热载流子效应表现为跨导降低和输出电导增加。由于热载流子，测试器件中的寄生栅源和栅漏电容没有明显变化。 LNA中热载流子的主要影响是功率增益下降和噪声系数增加。热载流子应力后，输入和输出匹配，S11和S22略有增加。 LNA的第三阶输入相关拦截点（IIP3）在应力后得到改善。这被认为是由于LNA中晶体管在它们被偏置的特定工作点处的电流-电压（I-V）特性的线性度得到改善。