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改写在器件制造过程中其 SiSiO2 的界面和栅介质层中不可避免的存在着各种缺陷。

  • 日期: 2026-03-20
  • 标签: 社会

在器件制造过程中,Si/SiO2的界面和栅介质层中存在着各种无法避免的缺陷。

改写在器件制造过程中其 SiSiO2 的界面和栅介质层中不可避免的存在着各种缺陷。

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