二维材料晶体管(TMDs-FET)性能提升: 应变与金属接触研究

二维材料晶体管(TMDs-FET)性能提升: 应变与金属接触研究

1.6 研究目的、意义和内容

1.6.1 研究目的和意义

本论文旨在探索基于二维材料的晶体管(TMDs-FET)的性能提升方法，重点关注应变和金属(MS)接触对TMDs-FET性能的影响。通过研究和优化这些关键因素，可以提高TMDs-FET的迁移率、开关速度和稳定性，推动二维材料晶体管技术的发展。

研究二维材料晶体管的性能提升方法具有重要的意义:

• 二维材料的潜力: 二维材料具有独特的物理和电子特性，潜在地可以实现高迁移率和优异的电子传输特性。研究TMDs-FET性能优化可以充分发挥二维材料的潜力，推动电子器件技术的发展。* 突破硅基限制: TMDs-FET作为硅基晶体管的潜在替代品，可以突破硅基晶体管的迁移率限制，并实现更高性能的电子器件。 * 下一代电子器件: 研究TMDs-FET的性能提升方法，对于探索下一代高速、低功耗和高度集成的电子器件具有重要意义。

1.6.2 研究内容

本论文的研究内容包括以下几个方面：

1. TMDs-FET基础: 探索TMDs-FET的基本原理和性能特点，包括少层TMDs材料的获取和性能概述。2. 应变影响: 研究应变对TMDs-FET性能的影响，包括传统硅基FET的应变技术和TMDs材料的应变研究。3. 金属接触优化: 优化MS接触以增强TMDs-FET性能，包括范德华MS接触的研究和界面掺杂提升FET性能的方法。4. 实验验证: 设计和制备实验样品，并通过电学测试和性能评估验证研究结果。5. 结果分析: 分析和讨论实验结果，总结各项因素对TMDs-FET性能的影响，并提出进一步的优化策略和展望。

通过以上研究内容，本论文旨在深入理解和优化基于二维材料的晶体管(TMDs-FET)的性能，为下一代高性能电子器件的研发提供理论和实验基础。