以下是一个可综合的真双端口RAM的Verilog代码:

module true_dual_port_ram (
    input clk,
    input [9:0] addr1,
    input [9:0] addr2,
    input [15:0] data1,
    input [15:0] data2,
    input we1,
    input we2,
    output reg [15:0] q1,
    output reg [15:0] q2
);

reg [15:0] mem [0:1023];

always @(posedge clk) begin
    if (we1) mem[addr1] <= data1;
    if (we2) mem[addr2] <= data2;
    q1 <= mem[addr1];
    q2 <= mem[addr2];
end

endmodule

该RAM有两个地址端口(addr1addr2)和两个数据端口(data1data2),并且可以同时读写。当we1we2为高电平时,对应的数据将被写入到内存中。在每个时钟上升沿时,内存中的数据被读回并存储在输出寄存器q1q2中。这个RAM有1024个内存地址(01023),每个地址可以存储16位数据。

verilog写出可综合的真双端口RAM;

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