Norflash 和 Nandflash 坏块产生原因对比

Norflash 和 Nandflash 都是闪存存储器，但它们产生坏块的原因不同。

Norflash 是一种串行存储器，存储单元通过一个地址线寻址。当某个存储单元出现故障时，只会影响该单元的读写操作，不会影响其他单元的正常使用。因此，Norflash 的坏块很少出现，且容易被检测到。

Nandflash 是一种并行存储器，存储单元通过行和列寻址。由于 Nandflash 存储密度高、速度快，因此在存储器中占有重要地位。但是，Nandflash 的坏块比 Norflash 多。这是因为 Nandflash 中的存储单元是以页为单位进行擦除和写入操作的，当某个存储页出现故障时，整个页中的所有存储单元都将无法读写，导致整个页无法使用，也就是所谓的'坏页'。Nandflash 的坏块检测和处理需要通过复杂的算法来实现。